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Modul; einzelner Transistor; 1kV; 37A; SOT227B; schraubbar; 890W


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 37A; SOT227B; schraubbar; 890W
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 37A; SOT227B; schraubbar; 890W
Artikel-Nr.:
     2805-IXFN44N100P
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXFN44N100P
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
ixys mosfet
mosfet
Hersteller: IXYS
Gehäuse: SOT227B
Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor
Bereitschaftszeit: 300ns
Drain-Source Spannung: 1kV
Drainstrom: 37A
Widerstand im Leitungszustand: 0,22Ω
Verlustleistung: 890W
Polarisierung: unipolar
Elektrische Montage: schraubbar
Mechanische Montage: schraubbar
Modul-Typ: Bipolartransistor, MOSFET
Gate-Ladung: 0,35µC
Technologie: HiPerFET™;Polar™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±40V
Drainstrom im Impuls: 110A
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