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Modul; einzelner Transistor; 900V; 56A; SOT227B; schraubbar; 1000W


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Modul; einzelner Transistor; 900V; 56A; SOT227B; schraubbar; 1000W
Modul; einzelner Transistor; 900V; 56A; SOT227B; schraubbar; 1000W
Artikel-Nr.:
     2805-IXFN56N90P
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXFN56N90P
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
ixys mosfet
mosfet
Hersteller: IXYS
Gehäuse: SOT227B
Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor
Bereitschaftszeit: 300ns
Drain-Source Spannung: 900V
Drainstrom: 56A
Widerstand im Leitungszustand: 0,145Ω
Verlustleistung: 1kW
Polarisierung: unipolar
Elektrische Montage: schraubbar
Mechanische Montage: schraubbar
Modul-Typ: Bipolartransistor, MOSFET
Gate-Ladung: 375nC
Technologie: HiPerFET™;Polar™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±40V
Drainstrom im Impuls: 168A
Weitere Suchbegriffe: mosfet 900v
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