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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1,6A; 100W; TO263; 400ns


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1,6A; 100W; TO263; 400ns
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1,6A; 100W; TO263; 400ns
Artikel-Nr.:
     2805-IXTA1R6N50D2
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXTA1R6N50D2
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: IXYS
Montage: SMD
Gehäuse: TO263
Bereitschaftszeit: 400ns
Drain-Source Spannung: 500V
Drainstrom: 1,6A
Widerstand im Leitungszustand: 2,3Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 100W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 23,7nC
Kanal-Art: schwach
Gate-Source Spannung: ±20V
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