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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 357W; TO263; 180ns


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 357W; TO263; 180ns
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 357W; TO263; 180ns
Artikel-Nr.:
     2805-IXTA64N10L2
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXTA64N10L2
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: IXYS
Montage: SMD
Gehäuse: TO263
Bereitschaftszeit: 180ns
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 64A
Widerstand im Leitungszustand: 32mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 357W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen: linear power mosfet
Gate-Ladung: 0,1µC
Kanal-Art: stark
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