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Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
Artikel-Nr.:
     2805-IXTH120P065T
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXTH120P065T
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
ixys mosfet
mosfet
Hersteller: IXYS
Montage: THT
Gehäuse: TO247-3
Bereitschaftszeit: 53ns
Drain-Source Spannung: -65V
Drainstrom: -120A
Widerstand im Leitungszustand: 10mΩ
Transistor-Typ: P-MOSFET
Verlustleistung: 298W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 185nC
Technologie: TrenchP™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±15V
Weitere Suchbegriffe: mosfet 65v
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