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Modul; einzelner Transistor; 55V; 550A; SOT227B; schraubbar; 940W


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Modul; einzelner Transistor; 55V; 550A; SOT227B; schraubbar; 940W
Modul; einzelner Transistor; 55V; 550A; SOT227B; schraubbar; 940W
Artikel-Nr.:
     2805-IXTN550N055T2
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXTN550N055T2
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Hersteller: IXYS
Gehäuse: SOT227B
Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor
Bereitschaftszeit: 100ns
Drain-Source Spannung: 55V
Drainstrom: 550A
Widerstand im Leitungszustand: 1,3mΩ
Verlustleistung: 940W
Polarisierung: unipolar
Elektrische Montage: schraubbar
Mechanische Montage: schraubbar
Modul-Typ: Bipolartransistor, MOSFET
Gate-Ladung: 595nC
Technologie: GigaMOS™;TrenchT2™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 1,65kA
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