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Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO3P


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO3P
Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO3P
Artikel-Nr.:
     2805-IXTQ110N10P
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXTQ110N10P
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: IXYS
Montage: THT
Gehäuse: TO3P
Bereitschaftszeit: 130ns
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 110A
Widerstand im Leitungszustand: 15mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 480W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 110nC
Technologie: PolarHT™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Weitere Suchbegriffe: ixys mosfet, mosfet, mosfet 100v
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