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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1,5kV; 12A; 890W; TO268; 1,2us


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1,5kV; 12A; 890W; TO268; 1,2us
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1,5kV; 12A; 890W; TO268; 1,2us
Artikel-Nr.:
     2805-IXTT12N150
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXTT12N150
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: IXYS
Montage: SMD
Gehäuse: TO268
Bereitschaftszeit: 1,2µs
Drain-Source Spannung: 1,5kV
Drainstrom: 12A
Widerstand im Leitungszustand: 2,2Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 890W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 106nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor
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