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Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1,2kV; 1,4A; Idm: 3A; 86W


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1,2kV; 1,4A; Idm: 3A; 86W
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1,2kV; 1,4A; Idm: 3A; 86W
Artikel-Nr.:
     2805-IXTY1R4N120P
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXTY1R4N120P
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: IXYS
Montage: SMD
Gehäuse: TO252
Bereitschaftszeit: 900ns
Drain-Source Spannung: 1,2kV
Drainstrom: 1,4A
Widerstand im Leitungszustand: 13Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 86W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen: standard power mosfet
Gate-Ladung: 24,8nC
Technologie: Polar™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 3A
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