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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 23A; 136W; D2PAK-7


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-LGE3M80120J
Hersteller:
     LUGUANG ELECTRONIC
Herst.-Nr.:
     LGE3M80120J
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Montage: SMD
Gehäuse: D2PAK-7
Drain-Source Spannung: 1,2kV
Drainstrom: 23A
Widerstand im Leitungszustand: 96mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 136W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Einheitspreis: Nein
Eigenschaften von Halbleiterelementen: Kelvin Terminal
Gate-Ladung: 20,8nC
Technologie: SiC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: -3...15V
Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor
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