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Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 1A; Idm: 9,6A; 0,4W; SOT363


Menge:  Packung  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-MMFTN6190KDW-DIO
Hersteller:
     DIOTEC SEMICONDUCTOR
Herst.-Nr.:
     MMFTN6190KDW
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Montage: SMD
Gehäuse: SOT363
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 1A
Widerstand im Leitungszustand: 0,45Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET x2
Verlustleistung: 0,4W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Eigenschaften von Halbleiterelementen: ESD protected gate
Gate-Ladung: 2nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 9,6A
Die Konditionen im Überblick1
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.