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Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 300V; 108A; Idm: 550A; 520W


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 300V; 108A; Idm: 550A; 520W
Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 300V; 108A; Idm: 550A; 520W
Artikel-Nr.:
     2805-MMIX1F210N30P3
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     MMIX1F210N30P3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: IXYS
Montage: SMD
Gehäuse: SMPD
Bereitschaftszeit: 250ns
Drain-Source Spannung: 300V
Drainstrom: 108A
Widerstand im Leitungszustand: 16mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 520W
Polarisierung: unipolar
Gate-Ladung: 268nC
Technologie: HiPerFET™;Polar3™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 550A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor
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