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Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 75V; 500A; 830W; SMPD


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 75V; 500A; 830W; SMPD
Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 75V; 500A; 830W; SMPD
Artikel-Nr.:
     2805-MMIX1F520N075T2
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     MMIX1F520N075T2
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: IXYS
Montage: SMD
Gehäuse: SMPD
Bereitschaftszeit: 150ns
Drain-Source Spannung: 75V
Drainstrom: 500A
Widerstand im Leitungszustand: 1,6mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 830W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Einheitspreis: Nein
Gate-Ladung: 545nC
#Werbeaktionen: aac_202202
Technologie: HiPerFET™;GigaMOS™;TrenchT2™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor
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