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IC: driver; MOSFET Halbbrücke; SO8; -1A÷500mA; 8÷17,5VDC; 600V


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Produktinformationen
IC: driver; MOSFET Halbbrücke; SO8; -1A÷500mA; 8÷17,5VDC; 600V
IC: driver; MOSFET Halbbrücke; SO8; -1A÷500mA; 8÷17,5VDC; 600V
Artikel-Nr.:
     2805-NCP1392BDR2G
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     NCP1392BDR2G
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Hersteller: ONSEMI
Montage: SMD
Betriebstemperatur: -40...125°C
Gehäuse: SO8
Versorgungsspannung: 8...17,5V DC
Ausgangsstrom: -1A...500mA
Integrierten Schaltkreises-Typ: driver
Impulsanstiegszeit: 40ns
Impulsabfallzeit: 20ns
Einheitspreis: Nein
Topologie: MOSFET Halbbrücke
Spannungsklasse: 600V
Die Konditionen im Überblick1
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