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Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 8V; 2,4A; Idm: 10A; 430mW; TSOP6


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-NTGD1100LT1G
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     NTGD1100LT1G
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: ONSEMI
Montage: SMD
Gehäuse: TSOP6
Drain-Source Spannung: 8V
Drainstrom: 2,4A
Widerstand im Leitungszustand: 40mΩ
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
Verlustleistung: 0,43W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±8V
Drainstrom im Impuls: 10A
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