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Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 100V; 30A; Idm: 90A; 44W


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 100V; 30A; Idm: 90A; 44W
Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 100V; 30A; Idm: 90A; 44W
Artikel-Nr.:
     2805-P30B10EL-5071
Hersteller:
     SHINDENGEN
Herst.-Nr.:
     P30B10EL-5071
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: SHINDENGEN
Montage: SMD
Gehäuse: FB (TO252AA)
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 30A
Widerstand im Leitungszustand: 30mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 44W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Einheitspreis: Nein
Gate-Ladung: 37nC
#Werbeaktionen: aac_202202
Technologie: EETMOS2
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 90A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor
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