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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87,5W; TO252AA


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-PJMD360N60EC-L2
Hersteller:
     PanJit Semiconductor
Herst.-Nr.:
     PJMD360N60EC_L2_00001
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: PanJit Semiconductor
Montage: SMD
Gehäuse: TO252AA
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 11A
Widerstand im Leitungszustand: 0,36Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 87,5W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 18,7nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 23A
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