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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3,2A; Idm: 8A; 2,6W; SOT223


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-PJW4N06A-AU-R2
Hersteller:
     PanJit Semiconductor
Herst.-Nr.:
     PJW4N06A-AU_R2_000A1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: PanJit Semiconductor
Montage: SMD
Gehäuse: SOT223
Drain-Source Spannung: 60V
Drainstrom: 3,2A
Widerstand im Leitungszustand: 0,11Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 2,6W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band
Gate-Ladung: 5,1nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 8A
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