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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W; TO263


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-PSMB050N10NS2-T0
Hersteller:
     PanJit Semiconductor
Herst.-Nr.:
     PSMB050N10NS2_T0_00601
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: PanJit Semiconductor
Montage: SMD
Gehäuse: TO263
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 120A
Widerstand im Leitungszustand: 7mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 138W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 53nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 480A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet 100v, smd transistor
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