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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 360A; 113,6W; TO263


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-PSMB055N08NS1-R2
Hersteller:
     PanJit Semiconductor
Herst.-Nr.:
     PSMB055N08NS1_R2_00601
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: PanJit Semiconductor
Montage: SMD
Gehäuse: TO263
Drain-Source Spannung: 80V
Drainstrom: 108A
Widerstand im Leitungszustand: 7mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 113,6W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Einheitspreis: Nein
Gate-Ladung: 65,8nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 360A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor
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