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Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 116A; Idm: 656A


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-PSMN1R6-30MLHX
Hersteller:
     Nexperia
Herst.-Nr.:
     PSMN1R6-30MLHX
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: NEXPERIA
Montage: SMD
Gehäuse: LFPAK33;SOT1210
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 116A
Widerstand im Leitungszustand: 4,8mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 106W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 68nC
Technologie: NextPowerS3
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 656A
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