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Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 110A; Idm: 624A


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     2805-PSMN1R8-30MLHX
Hersteller:
     Nexperia
Herst.-Nr.:
     PSMN1R8-30MLHX
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: NEXPERIA
Montage: SMD
Gehäuse: LFPAK33;SOT1210
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 110A
Widerstand im Leitungszustand: 5,3mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 106W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 58nC
Technologie: NextPowerS3
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 624A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor
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