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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 418A; 130W


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-PSMN4R0-60YS.115
Hersteller:
     Nexperia
Herst.-Nr.:
     PSMN4R0-60YS,115
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: NEXPERIA
Montage: SMD
Gehäuse: SOT669;PowerSO8;LFPAK56
Drain-Source Spannung: 60V
Drainstrom: 100A
Widerstand im Leitungszustand: 3,6mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 130W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 56nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 418A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet 60v, smd transistor
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