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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 88A; Idm: 360A; 238W


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-PSMN6R9-100YSFX
Hersteller:
     Nexperia
Herst.-Nr.:
     PSMN6R9-100YSFX
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: NEXPERIA
Montage: SMD
Gehäuse: SOT669;PowerSO8;LFPAK56
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 88A
Widerstand im Leitungszustand: 15,4mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 238W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Einheitspreis: Nein
Gate-Ladung: 50,3nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 360A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor
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