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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 57A; Idm: 229A; 52W


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     2805-PSMN9R1-30YL.115
Hersteller:
     Nexperia
Herst.-Nr.:
     PSMN9R1-30YL,115
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: NEXPERIA
Montage: SMD
Gehäuse: SOT669;PowerSO8;LFPAK56
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 57A
Widerstand im Leitungszustand: 7,8mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 52W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 8,4nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 229A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor
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