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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 60A; 220W; TO220AB


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     2805-R6520KNX3C16
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     R6520KNX3C16
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Montage: THT
Gehäuse: TO220AB
Drain-Source Spannung: 650V
Drainstrom: 20A
Widerstand im Leitungszustand: 0,4Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 220W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Einheitspreis: Nein
Gate-Ladung: 40nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 60A
Weitere Suchbegriffe: mosfet
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