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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 200/350mW; ESD


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 200/350mW; ESD
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 200/350mW; ESD
Artikel-Nr.:
     2805-RK7002BMT116
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     RK7002BMT116
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Montage: SMD
Gehäuse: SOT23
Drain-Source Spannung: 60V
Drainstrom: 0,25A
Widerstand im Leitungszustand: 2,4Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 200/350mW
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Einheitspreis: Nein
Ausführung: ESD
#Werbeaktionen: aac_202202
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 1A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor
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