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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; Idm: 40A; 15W; HSMT8


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-RQ3E100BNTB
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     RQ3E100BNTB
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Montage: SMD
Gehäuse: HSMT8
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 21A
Widerstand im Leitungszustand: 15,3mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 15W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 22nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 40A
Die Konditionen im Überblick1
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