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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 72A; 20W; HSMT8


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-RQ3E180BNTB
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     RQ3E180BNTB
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Montage: SMD
Gehäuse: HSMT8
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 39A
Widerstand im Leitungszustand: 5,2Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 20W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 72nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 72A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor
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