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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 200mA; Idm: 0,8A; 350mW; SST3


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ROHM RYC002N05 RYC002N05T316 N-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 200 mA 350 mW, 3-Pin SOT-23
Artikel-Nr.:
     2805-RYC002N05T316
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     RYC002N05T316
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Montage: SMD
Gehäuse: SST3
Drain-Source Spannung: 50V
Drainstrom: 0,2A
Widerstand im Leitungszustand:
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 0,35W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±8V
Drainstrom im Impuls: 0,8A
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