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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 55A; Idm: 312A; 385W; H2PAK7


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-SCT018H65G3AG
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     SCT018H65G3AG
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: STMicroelectronics
Montage: SMD
Gehäuse: H2PAK7
Drain-Source Spannung: 650V
Drainstrom: 55A
Widerstand im Leitungszustand: 27mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 385W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Spule
Gate-Ladung: 79,4nC
Kanal-Art: anreicherungs
Gate-Source Spannung: -10...22V
Drainstrom im Impuls: 312A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor
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