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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 22A; Idm: 55A; 165W


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     2805-SCT2160KEGC11
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     SCT2160KEGC11
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Montage: THT
Gehäuse: TO247
Drain-Source Spannung: 1,2kV
Drainstrom: 22A
Widerstand im Leitungszustand: 208mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 165W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 62nC
Technologie: SiC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: -6...22V
Drainstrom im Impuls: 55A
Weitere Suchbegriffe: rohm mosfet, mosfet
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