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Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 610mA; Idm: 2A


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-SI1036X-T1-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI1036X-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: SC89;SOT563
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 610mA
Widerstand im Leitungszustand: 1,1Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET x2
Verlustleistung: 0,22W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 2nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±8V
Drainstrom im Impuls: 2A
Die Konditionen im Überblick1
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