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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 530mA; Idm: 2A


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     2805-SI1062X-T1-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI1062X-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: SC89;SOT563
Drain-Source Spannung: 20V
Drainstrom: 0,53A
Widerstand im Leitungszustand: 762mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 0,22W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Einheitspreis: Nein
Gate-Ladung: 2,7nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±8V
Drainstrom im Impuls: 2A
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