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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2,6A; Idm: 6A; 1W; SOT23


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2,6A; Idm: 6A; 1W; SOT23
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2,6A; Idm: 6A; 1W; SOT23
Artikel-Nr.:
     2805-SI2308CDS-T1-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI2308CDS-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: SOT23
Drain-Source Spannung: 60V
Drainstrom: 2,6A
Widerstand im Leitungszustand: 144mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 1W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 4nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 6A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor
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