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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4,5A; Idm: 20A


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-SI2316BDS-T1-E3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI2316BDS-T1-E3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: SOT23
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 4,5A
Widerstand im Leitungszustand: 80mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 1,25W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 9,6nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 20A
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