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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 1,5A; Idm: 6A


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Vishay SI2328DS-T1-E3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 1.15 A 730 mW, 3-Pin SOT-23
Artikel-Nr.:
     2805-SI2328DS-T1-E3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI2328DS-T1-E3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: SOT23
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 1,5A
Widerstand im Leitungszustand: 0,25Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 1,25W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 5nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 6A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor
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