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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 7,9A; Idm: 20A

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Produktinformationen

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 7,9A; Idm: 20A

Artikel-Nr.:
2805-SI3460DDV-T1-GE3

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
SI3460DDV-T1-GE3

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor

Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: TSOP6
Drain-Source Spannung: 20V
Drainstrom: 7,9A
Widerstand im Leitungszustand: 28mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 1,7W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Einheitspreis: Nein
Gate-Ladung: 18nC
#Werbeaktionen: aac_202202
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±8V
Drainstrom im Impuls: 20A

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Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor

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