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Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -7A; Idm: -20A; 2W


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-SI3499DV-T1-BE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI3499DV-T1-BE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: TSOP6
Drain-Source Spannung: -8V
Drainstrom: -7A
Widerstand im Leitungszustand: 48mΩ
Transistor-Typ: P-MOSFET
Verlustleistung: 2W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Einheitspreis: Nein
Gate-Ladung: 42nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±5V
Drainstrom im Impuls: -20A
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