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Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 25V; 8A; Idm: 50A; 2W


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 25V; 8A; Idm: 50A; 2W
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 25V; 8A; Idm: 50A; 2W
Artikel-Nr.:
     2805-SI4228DY-T1-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI4228DY-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: SO8
Drain-Source Spannung: 25V
Drainstrom: 8A
Widerstand im Leitungszustand: 24mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET x2
Verlustleistung: 2W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Einheitspreis: Nein
Gate-Ladung: 25nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±12V
Drainstrom im Impuls: 50A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor
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