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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; 2,5W; SO8


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; 2,5W; SO8
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; 2,5W; SO8
Artikel-Nr.:
     2805-SI4800BDY-E3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI4800BDY-T1-E3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: SO8
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 7A
Widerstand im Leitungszustand: 30mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 2,5W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Einheitspreis: Nein
Gate-Ladung: 13nC
#Werbeaktionen: aac_202202
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±25V
Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor
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