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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 3,7A; Idm: 25A; 3W

Menge:

Stück

Produktinformationen

Artikel-Nr.:
2805-SI4848DY-T1-GE3

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
SI4848DY-T1-GE3

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor

Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: SO8
Drain-Source Spannung: 150V
Drainstrom: 3,7A
Widerstand im Leitungszustand: 95mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 3W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 21nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 25A

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Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor

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