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Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 20A; Idm: 50A


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     2805-SI7288DP-T1-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI7288DP-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: PowerPAK® SO8
Drain-Source Spannung: 40V
Drainstrom: 20A
Widerstand im Leitungszustand: 22mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET x2
Verlustleistung: 15,6W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 15nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 50A
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