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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6,2A; Idm: 40A; 0,9W


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     2805-SI7850DP-T1-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI7850DP-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: PowerPAK® SO8
Drain-Source Spannung: 60V
Drainstrom: 6,2A
Widerstand im Leitungszustand: 22mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 0,9W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 27nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 40A
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