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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 10A; Idm: 25A; 1,8W


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     2805-SI8424CDB-T1-E1
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI8424CDB-T1-E1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: MICROFOOT® 1.6x1.6
Drain-Source Spannung: 8V
Drainstrom: 10A
Widerstand im Leitungszustand: 20mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 1,8W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 40nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±5V
Drainstrom im Impuls: 25A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor
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