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Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -150V; -1,6A; Idm: -2A


Menge:  Packung  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-SIA485DJ-T1-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIA485DJ-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Drain-Source Spannung: -150V
Drainstrom: -1,6A
Widerstand im Leitungszustand: 2,7Ω
Transistor-Typ: P-MOSFET
Verlustleistung: 15,6W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Einheitspreis: Nein
Gate-Ladung: 6,3nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: -2A
Die Konditionen im Überblick1
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UVP bedeutet „Unverbindliche Preisempfehlung“
Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.