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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A
Menge:
Stück
Produktinformationen
Artikel-Nr.:
2805-SIDR390DP-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Herst.-Nr.:
SIDR390DP-T1-GE3
EAN/GTIN:
k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Hersteller:
VISHAY
Montage:
SMD
Drain-Source Spannung:
30V
Drainstrom:
100A
Widerstand im Leitungszustand:
1,15mΩ
Transistor-Typ:
N-MOSFET
Verlustleistung:
125W
Polarisierung:
unipolar
Verpackungs-Art:
Band;Rolle
Gate-Ladung:
153nC
Technologie:
TrenchFET®
Kanal-Art:
stark
Drainstrom im Impuls:
400A
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,
Transistor
,
mosfet vishay
,
smd transistor
,
mosfet 100a
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