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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1,9A; Idm: 7A; 29W; TO220FP


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     2805-SIHA5N80AE-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIHA5N80AE-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: VISHAY
Montage: THT
Gehäuse: TO220FP
Drain-Source Spannung: 800V
Drainstrom: 1,9A
Widerstand im Leitungszustand: 1,35Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 29W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Einheitspreis: Nein
Gate-Ladung: 16,5nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 7A
Weitere Suchbegriffe: mosfet
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