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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7,8A; Idm: 27A; 147W


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-SIHB12N60ET1-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIHB12N60ET1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: D2PAK;TO263
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 7,8A
Widerstand im Leitungszustand: 0,38Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 147W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 58nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 27A
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