Kategorien
Deutschland
Deutsch
Mein Mercateo
Anmelden / Registrieren		Warenkorb
 		 
 >  >  >  >  >  > Artikel

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 53A; 227W


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-SIHB21N60EF-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIHB21N60EF-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: D2PAK;TO263
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 14A
Widerstand im Leitungszustand: 176mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 227W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 84nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 53A
Die Konditionen im Überblick1
Lieferzeit
Lagerstand
Preis
ab € 2,80*
  
Preis gilt ab 7.500 Stück
Konditionen selbst auswählen
Artikel empfehlenArtikel merken
Staffelpreise
Bestellmenge
Netto
Brutto
Einheit
1 Stück
€ 5,83*
€ 6,94
pro Stück
ab 5 Stück
€ 5,09*
€ 6,06
pro Stück
ab 10 Stück
€ 5,04*
€ 6,00
pro Stück
ab 20 Stück
€ 4,70*
€ 5,59
pro Stück
ab 25 Stück
€ 4,17*
€ 4,96
pro Stück
ab 50 Stück
€ 3,94*
€ 4,69
pro Stück
ab 100 Stück
€ 3,53*
€ 4,20
pro Stück
ab 500 Stück
€ 3,49*
€ 4,15
pro Stück
ab 7500 Stück
€ 2,80*
€ 3,33
pro Stück
* Preise mit Sternchen sind Nettopreise zzgl. gesetzlich gültiger MwSt.
UVP bedeutet „Unverbindliche Preisempfehlung“
Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.